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純度高達(dá)99.99999%的高純砷要怎么制備?

發(fā)表時(shí)間:2024-11-09

在第二代半導(dǎo)體中,砷化鎵(GaAs)被認(rèn)為目前*成熟的化合物半導(dǎo)體材料之一,與硅(Si) 相比,具有禁帶寬(1.42eV)、電子遷移率高(8500 cm2/V·s)、電子飽和漂移速度高、能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙等特性,常用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等,其相關(guān)器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),因此受到通信領(lǐng)域和國(guó)防與航空航天領(lǐng)域的重視。
       

 異丙醇不過(guò)在自然界中并不存在砷化鎵晶體,它屬于人工晶體材料的一種,其多晶合成和單晶生長(zhǎng)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)都需要依賴于單質(zhì)砷、鎵的物理化學(xué)反應(yīng)。在這個(gè)過(guò)程中,原材料的純度越高,就越能顯示出材料的本征特性,材料的應(yīng)用價(jià)值也能更好地發(fā)揮出來(lái),在半導(dǎo)體領(lǐng)域更是如此,目前用于制備半導(dǎo)體材料砷化鎵的單質(zhì)砷的純度多為99.9999%(6N)和99.99999%(7N)。

   高純砷技術(shù)方面的高要求,導(dǎo)致全世界只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家能夠穩(wěn)定生產(chǎn)高純砷。不過(guò)由于電子信息制造業(yè)的飛速發(fā)展,砷化鎵等材料也受到了利好驅(qū)動(dòng),因此高純砷的制備技術(shù)正隨著砷化鎵需求的增加而飛速發(fā)展。 如果您想對(duì)這方面深入了解的話,在“2021全國(guó)高純粉體與晶體材料創(chuàng)新發(fā)展論壇”上, 揚(yáng)州中天利新材料股份有限公司的技術(shù)副總李顯坪先生將為我們帶來(lái)題為《99.99999%(7N)高純砷制備技術(shù)及其砷化鎵半導(dǎo)體晶體的應(yīng)用》的報(bào)告。

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